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Amtliche Abkürzung:HalblSchG
Fassung vom:04.04.2016 Fassungen
Gültig ab:01.07.2016
Dokumenttyp:Gesetz
Quelle:juris Logo
FNA:FNA 426-1
Gesetz über den Schutz der Topographien von mikroelektronischen Halbleitererzeugnissen
Halbleiterschutzgesetz
§ 9 Schutzverletzung
(1) Wer den Vorschriften des § 6 Abs. 1 zuwider den Schutz der Topographie verletzt, kann vom Verletzten auf Unterlassung in Anspruch genommen werden. Wer die Handlung vorsätzlich oder fahrlässig vornimmt, ist dem Verletzten zum Ersatz des daraus entstandenen Schadens verpflichtet. § 24 Abs. 2 Satz 2 und 3 des Gebrauchsmustergesetzes gilt entsprechend.
(2) Die §§ 24a bis 24e, 25a und 25b des Gebrauchsmustergesetzes gelten entsprechend.
(3) Auf die Verjährung der Ansprüche wegen Verletzung des Schutzrechts finden die Vorschriften des Abschnitts 5 des Buches 1 des Bürgerlichen Gesetzbuchs entsprechende Anwendung. Hat der Verpflichtete durch die Verletzung auf Kosten des Berechtigten etwas erlangt, findet § 852 des Bürgerlichen Gesetzbuchs entsprechende Anwendung.
(4) § 24g des Gebrauchsmustergesetzes gilt entsprechend.

Fußnoten ausblendenFußnoten

§ 9 Abs. 1: Früherer § 9 jetzt Abs. 1 gem. Art. 6 Nr. 2 Buchst. b G v. 7.3.1990 I 422 mWv 1.7.1990; früherer Satz 4 aufgeh. durch Art. 5 Abs. 23 Nr. 1 Buchst. a G v. 26.11.2001 I 3138 mWv 1.1.2002
§ 9 Abs. 1 Satz 3: IdF d. Art. 5 Nr. 0 G v. 7.7.2008 I 1191 mWv 1.9.2008
§ 9 Abs. 2: IdF d. Art. 6 Nr. 2 G v. 4.4.2016 I 558 mWv 1.7.2016
§ 9 Abs. 3: Eingef. durch Art. 5 Abs. 23 Nr. 1 Buchst. b G v. 26.11.2001 I 3138 mWv 1.1.2002
§ 9 Abs. 4: Eingef. durch Art. 5 Nr. 2 G v. 7.7.2008 I 1191 mWv 1.9.2008

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